지난 10여년간 대학원생 2-3명과 평균연구비 1억원 정도의 작은 연구비만을 가진 국내 한 연구진이 새로운 저항스위칭 기억소자용 물질 2개를 세계최초로 발견하였고 2019년에는 국제공동연구를 통해서 이 물질에서 일어나는 스위칭 메커니즘을 제대로 규명하는데 처음으로 성공했다.

한국외국어대학교(총장 김인철) 자연과학대 전자물리학과의 정창욱 교수는 Regina Dittmann 교수, Rainer Waser 교수, 김미영 교수와 공동연구를 통해 고유한 층상구조를 가지는 금속산화물인 SrFeOx에서 발생하는 저항스위칭 메모리 현상에 대한 메커니즘을 밝히는데 성공했다. 연구결과는 이공학 분야의 국제저명학술지(SCI) 중에서도 상위 1%에 들어가는 ‘어드밴스드 머티리얼즈’(Advanced Materials)에 2019년 8월에 게재되었다. (정창욱 교수는 교신저자, Adv. Mater. 2019, 1903391.)